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    全球UVC LED芯片市場(chǎng)前10強(qiáng)生產(chǎn)商排名中科潞安排名第八

    發(fā)布時(shí)間:

    2023-12-22

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    摘要

    紫外LED一般指發(fā)光中心波長(zhǎng)在405 nm以下的LED,LED業(yè)界通常將發(fā)光波長(zhǎng)位于355~405 nm時(shí)稱為近紫外LED,而短于280 nm時(shí)稱為深紫外LED。目前在LED的研究和生產(chǎn)中用到最多的材料GaN的禁帶寬度為3.4 eV,對(duì)應(yīng)的發(fā)光波長(zhǎng)為365 nm,剛好處于近紫外波段范圍,因此,近紫LED中一般采用GaN作為基材。而深紫外LED通過在基材GaN中添加A l 擴(kuò)大帶隙,獲得更短的發(fā)光波長(zhǎng)。
    紫外LED一般指發(fā)光中心波長(zhǎng)在405 nm以下的LED,LED業(yè)界通常將發(fā)光波長(zhǎng)位于355~405 nm時(shí)稱為近紫外LED,而短于280 nm時(shí)稱為深紫外LED。目前在LED的研究和生產(chǎn)中用到最多的材料GaN的禁帶寬度為3.4 eV,對(duì)應(yīng)的發(fā)光波長(zhǎng)為365 nm,剛好處于近紫外波段范圍,因此,近紫LED中一般采用GaN作為基材。而深紫外LED通過在基材GaN中添加A l 擴(kuò)大帶隙,獲得更短的發(fā)光波長(zhǎng)。

    UVC-LED 又稱深紫外LED,深紫外光是指波長(zhǎng)100 nm到280 nm之間的光波,半導(dǎo)體深紫外光源在照明、殺菌、醫(yī)療、印刷、生化檢測(cè)、高密度的信息儲(chǔ)存和保密通訊等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價(jià)值。
    UVC LED芯片全球市場(chǎng)總體規(guī)模

    預(yù)計(jì)2029年全球UVC LED芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到120.2億美元,未來幾年年復(fù)合增長(zhǎng)率CAGR為50.9%。
    全球UVC LED芯片市場(chǎng)前19強(qiáng)生產(chǎn)商排名及市場(chǎng)占有率(2021數(shù)據(jù),持續(xù)更新)

    全球范圍內(nèi)UVC LED芯片生產(chǎn)商主要包括Crystal IS、Seoul Viosys、Stanley、NIKKISO、LG Innotek、Qingdao Jiesheng Electric Co.、Rayvio、Zhongke Lu'an、Guoxing Optoelectronics、Lite-On Technology Co.等。2021年,全球前五大廠商占有大約27.0%的市場(chǎng)份額。

     

     

     

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    全球UVC LED芯片市場(chǎng)前10強(qiáng)生產(chǎn)商排名中科潞安排名第八


    紫外LED一般指發(fā)光中心波長(zhǎng)在405 nm以下的LED,LED業(yè)界通常將發(fā)光波長(zhǎng)位于355~405 nm時(shí)稱為近紫外LED,而短于280 nm時(shí)稱為深紫外LED。目前在LED的研究和生產(chǎn)中用到最多的材料GaN的禁帶寬度為3.4 eV,對(duì)應(yīng)的發(fā)光波長(zhǎng)為365 nm,剛好處于近紫外波段范圍,因此,近紫LED中一般采用GaN作為基材。而深紫外LED通過在基材GaN中添加A l 擴(kuò)大帶隙,獲得更短的發(fā)光波長(zhǎng)。

    2023-12-22

    中科潞安劉乃鑫 | 紫外光通信用深紫外LED光源


    近十年來,隨著紫外固態(tài)器件的外延生長(zhǎng)、制備工藝以及封裝技術(shù)的快速發(fā)展,基于日盲區(qū)LED的紫外光通信光源憑借高帶寬、易于攜帶、無毒環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)逐步取代了傳統(tǒng)的汞燈、氣體放電燈等光源。Micro-LED是新興的工藝技術(shù),它可以實(shí)現(xiàn)更大更均勻的注入電流密度,有利于研究大注入狀態(tài)LED物理現(xiàn)象。特別是近幾年,UVC Micro-LED在紫外光通信、顯示等領(lǐng)域中展現(xiàn)出了廣闊的應(yīng)用前景,引起了人們的關(guān)注和研究熱情。

    2023-12-22

    中科潞安

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