亞洲經(jīng)濟發(fā)展協(xié)會走進中科潞安
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2025-03-20
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中國亞洲經(jīng)濟發(fā)展協(xié)會常務副會長、中央統(tǒng)戰(zhàn)部辦公廳原常務副主任申占華一行蒞臨中科潞安參觀交流。
近日，中國亞洲經(jīng)濟發(fā)展協(xié)會常務副會長、中央統(tǒng)戰(zhàn)部辦公廳原常務副主任申占華一行蒞臨中科潞安參觀交流，公司常務副總經(jīng)理賀帥熱情接待了來訪嘉賓。
一進入公司，協(xié)會領導們便徑直來到中科潞安的宣傳展廳。賀總全程悉心陪同講解，著重介紹了公司自主研發(fā)的深紫外 LED 芯片、封裝燈珠、模組及應用產(chǎn)品。中科潞安的產(chǎn)品已在空氣凈化、水殺菌、醫(yī)療消毒等多個領域生根發(fā)芽，并成功實施了眾多應用案例。期間，協(xié)會領導們對中科潞安在紫外LED產(chǎn)業(yè)領域取得的顯著成績給予了高度評價，并與賀總就技術應用前景、市場拓展等核心議題展開了深入而富有成效的探討。
展望未來，中科潞安與中國亞洲經(jīng)濟發(fā)展協(xié)會有望在資源整合、技術推廣等方向開展協(xié)作，推動紫外 LED 產(chǎn)業(yè)躍上新臺階，為紫外LED行業(yè)的蓬勃發(fā)展開創(chuàng)更加廣闊的新局面。
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全球UVC LED芯片市場前10強生產(chǎn)商排名中科潞安排名第八
紫外LED一般指發(fā)光中心波長在405 nm以下的LED，LED業(yè)界通常將發(fā)光波長位于355～405 nm時稱為近紫外LED，而短于280 nm時稱為深紫外LED。目前在LED的研究和生產(chǎn)中用到最多的材料GaN的禁帶寬度為3.4 eV，對應的發(fā)光波長為365 nm，剛好處于近紫外波段范圍，因此，近紫LED中一般采用GaN作為基材。而深紫外LED通過在基材GaN中添加A l 擴大帶隙，獲得更短的發(fā)光波長。
2023-12-22
近十年來，隨著紫外固態(tài)器件的外延生長、制備工藝以及封裝技術的快速發(fā)展，基于日盲區(qū)LED的紫外光通信光源憑借高帶寬、易于攜帶、無毒環(huán)保的優(yōu)點逐步取代了傳統(tǒng)的汞燈、氣體放電燈等光源。Micro-LED是新興的工藝技術，它可以實現(xiàn)更大更均勻的注入電流密度，有利于研究大注入狀態(tài)LED物理現(xiàn)象。特別是近幾年，UVC Micro-LED在紫外光通信、顯示等領域中展現(xiàn)出了廣闊的應用前景，引起了人們的關注和研究熱情。
2023-12-22
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